Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024
C'est quoi, la collecte de fonds?
recherche de livres
livres
Campagne de collecte:
18.0% pourcents atteints
S'identifier
S'identifier
les utilisateurs autorisés sont disponibles :
recommandations personnelles
Telegram bot
historique de téléchargement
envoyer par courrier électronique ou Kindle
gestion des listes de livres
sauvegarder dans mes Favoris
Personnel
Requêtes de livres
Recherche
Z-Recommend
Les sélections de livres
Les plus populaires
Catégories
La participation
Faire un don
Téléchargements
Litera Library
Faire un don de livres papier
Ajouter des livres papier
Search paper books
Ouvrir LITERA Point
La recherche des mots clé
Main
La recherche des mots clé
search
1
Введение в дислокации
Халл Д.
дислокации
рис
дислокаций
плоскости
скольжения
бюргерса
дислокация
атомов
напряжение
упаковки
энергии
петли
энергия
напряжения
дисло
напряжений
деформации
кристалла
границы
дислока
кристаллах
дефектов
дислокацию
результате
линии
плоскость
показано
краевой
типа
вектор
расстояние
дефекта
ния
атомы
дислокациями
вакансий
скольжение
кубических
помощью
равна
движение
винтовой
движения
дис
плоскостях
вектором
приводит
поле
решетки
образования
Langue:
russian
Fichier:
DJVU, 8.88 MB
Vos balises:
0
/
0
russian
2
Дислокации
Мир
Фридель Ж.
дислокации
дислокаций
фиr
скольжения
phys
энерrия
плоскости
деформации
rде
напряжения
acta
бюрrерса
атомов
кристалла
moryt
напряжений
петли
упаковки
энерrии
коrда
дис
appl
типа
поверхности
линии
дислокация
вакансий
порядка
франка
упруrости
тоrда
видимому
кристаллов
кристаллах
дефектов
меньше
зерен
ния
вакансии
равна
температурах
петель
скорость
скольжение
имеется
температуры
трещины
результате
величина
следовательно
Année:
1967
Langue:
russian
Fichier:
DJVU, 13.01 MB
Vos balises:
0
/
0
russian, 1967
3
Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников
Мильвидский М.Г.
,
Освенский В.Б.
дислокаций
несоответствия
дефектов
напряжений
слоя
подложки
дислокации
рис
основе
приборов
области
раздела
эпитаксиальных
решетки
поверхности
процессе
галлия
образования
результате
слоев
соединений
структуры
напряжения
точечных
phys
влияние
твердых
условиях
плоскости
типа
gaas
дефекты
растворов
ных
плотность
состава
пленки
слое
являются
слой
кремния
структур
роста
плотности
приводит
эпитаксиального
образование
скольжения
величины
границы
Langue:
russian
Fichier:
DJVU, 4.95 MB
Vos balises:
0
/
0
russian
1
Suivez
ce lien
ou recherchez le bot "@BotFather" sur Telegram
2
Envoyer la commande /newbot
3
Entrez un nom pour votre bot
4
Spécifiez le nom d'utilisateur pour le bot
5
Copier le dernier message de BotFather et le coller ici
×
×